比亞迪IGBT芯片通過中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)組織的科技成果鑒定

比亞迪IGBT產(chǎn)品晶圓

提前布局SiC，比亞迪欲再度引領(lǐng)電動(dòng)車變革

“馴服”了IGBT，比亞迪又將目光投向了更遠(yuǎn)的未來。

雖然在未來較長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，IGBT仍將供不應(yīng)求。但比亞迪也已預(yù)見到，隨著電動(dòng)車性能不斷地提升，對(duì)功率半導(dǎo)體組件提出了更高的要求，當(dāng)下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。尋求更低芯片損耗、更強(qiáng)電流輸出能力、更耐高溫的全新半導(dǎo)體材料，已成為學(xué)界和業(yè)界的普遍共識(shí)。

據(jù)悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動(dòng)車領(lǐng)域的應(yīng)用。 

第三代半導(dǎo)體材料SiC

比亞迪SiC晶圓 

此次發(fā)布會(huì)上，比亞迪宣布，已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET（汽車功率半導(dǎo)體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車。預(yù)計(jì)到2023年，比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中，實(shí)現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。

比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動(dòng)車性能持續(xù)迭代更新的新一代‘殺手锏’，我們期望在加速、續(xù)航等性能指標(biāo)上，為廣大消費(fèi)者帶來更多驚喜?！?nbsp;

比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛分享比亞迪在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局

以技術(shù)創(chuàng)新，助力中國汽車產(chǎn)業(yè)“再向上”

在過去相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間里，IGBT的核心技術(shù)始終掌握在國外廠商手里，中高端IGBT市場(chǎng)90%的份額被國際巨頭壟斷，導(dǎo)致“一芯難求”，成為制約我國電動(dòng)車行業(yè)健康、快速發(fā)展的主要瓶頸。

根據(jù)世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子（Future Electronics LTD）的統(tǒng)計(jì)，2018年，車規(guī)級(jí)IGBT模塊的交貨周期最長(zhǎng)已經(jīng)達(dá)到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。而2018-2022年，全球電動(dòng)車年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)30%，但同期車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率僅為15.7%。可以預(yù)見，未來幾年全球車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)的供應(yīng)將愈加緊張。

在功率半導(dǎo)體等核心技術(shù)的加持下，比亞迪在過去的三年位居全球電動(dòng)車銷量第一，并助推我國電動(dòng)車行業(yè)高速發(fā)展——正是在這三年，我國電動(dòng)車產(chǎn)銷量持續(xù)領(lǐng)跑全球、保有量全球占比達(dá)到50%。

十多年前，比亞迪打破國際巨頭對(duì)IGBT的技術(shù)壟斷，助力我國電動(dòng)車的快速發(fā)展；今天，比亞迪推出了全新的車規(guī)級(jí)IGBT4.0，為我國汽車產(chǎn)業(yè)的換道超車，提供強(qiáng)大的“中國芯”。未來，伴隨著比亞迪SiC的推出與大規(guī)模應(yīng)用，我國汽車產(chǎn)業(yè)的“再向上”將獲得新的助推力。