數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)到2025年,SiC功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的市場規(guī)模將達(dá)到15.53億美元,年復(fù)合增長率達(dá)38%。但是,寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)軍新能源汽車的道路并不平坦,產(chǎn)業(yè)界應(yīng)對此有清醒的認(rèn)識。

圖片來源:比亞迪半導(dǎo)體官網(wǎng)

圖片來源:比亞迪半導(dǎo)體官網(wǎng)

新能源汽車市場的飛速發(fā)展,極大推動了以碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體市場發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新。數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)到2025年,SiC功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的市場規(guī)模將達(dá)到15.53億美元,年復(fù)合增長率達(dá)38%。但是,寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)軍新能源汽車的道路并不平坦,產(chǎn)業(yè)界應(yīng)對此有清醒的認(rèn)識,理性面對目前普遍存在的“產(chǎn)業(yè)慢、資本急,產(chǎn)品慢、下游急,產(chǎn)值慢、規(guī)劃急”等主要矛盾。

何時(shí)迎來規(guī)?;瘧?yīng)用

寬禁帶半導(dǎo)體憑借更高功率密度、更高結(jié)溫、更低雜感、更高可靠性等優(yōu)勢,正在成為支撐新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一,為后者帶來多項(xiàng)功能與指標(biāo)的提升。

碳化硅器件作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表,與新能源汽車可謂“天作之合”。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博向《中國電子報(bào)》記者表示,采用碳化硅器件的新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)體積可節(jié)省40%,重量減輕30%,效率提升10%,帶來各項(xiàng)指標(biāo)的提升。

目前,特斯拉、戴姆勒、蔚來汽車、東風(fēng)汽車、精進(jìn)電動等國內(nèi)外的知名車企都對碳化硅的應(yīng)用展開了布局?!暗?023年,SiC功率器件市場總值將超過14億美元。預(yù)計(jì)至2025年,我國新能源汽車功率半導(dǎo)體器件市場中,Si基IGBT市場規(guī)模約70億元,SiC基MOSFET約40億元?!眹倚履茉雌嚰夹g(shù)創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長鄒廣才告訴《中國電子報(bào)》記者。

盡管市場潛力無限,但寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)軍新能源汽車的道路似乎并不平坦。其中,能否在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用是業(yè)內(nèi)人士最為關(guān)注的問題之一。鄒廣才就對記者坦言:“目前各整車廠、供應(yīng)商都開始布局新能源汽車領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,但應(yīng)用尚不普及?!?/p>

雖然寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景被業(yè)界廣泛看好,但從目前來看,硅基半導(dǎo)體產(chǎn)品在新能源汽車領(lǐng)域的地位仍是不可撼動。在芯謀研究研究總監(jiān)宋長庚看來,碳化硅器件以及氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體在短期內(nèi)并不會取代硅基半導(dǎo)體產(chǎn)品,甚至這些寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的市場份額也很難達(dá)到硅基半導(dǎo)體的水平?!斑@是性能、成本、芯片功耗和制造產(chǎn)能等多方面因素平衡的結(jié)果?!彼伍L庚對《中國電子報(bào)》記者說。

當(dāng)前,可生產(chǎn)性、可靠性和可用性是阻礙寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用的“絆腳石”。蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理任勉對《中國電子報(bào)》記者表示,在可生產(chǎn)性方面,高度平整、特性高度均勻、片間高度一致的外延材料還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有達(dá)到滿足大規(guī)模生產(chǎn)需要的水平;在可靠性方面,高質(zhì)量、低界面態(tài)的柵介質(zhì)是一個重要的課題;在可用性方面,氮化鎵(GaN)功率電子的主要技術(shù)優(yōu)勢——高速開關(guān)特性目前還沒有得到充分發(fā)揮。

器件開關(guān)問題亟待解決

產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都是一波三折。除可生產(chǎn)性、可靠性和可用性之外,寬禁帶半導(dǎo)體要想在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用,還面臨著諸多亟待突破的瓶頸。

在材料制造方面,碳化硅單晶的生長就是一大難點(diǎn)。宋長庚向《中國電子報(bào)》記者表示:“碳化硅功率半導(dǎo)體器件目前產(chǎn)業(yè)化的主要瓶頸在碳化硅單晶材料的制造方面。由于碳化硅熔點(diǎn)高,單晶生長困難,因此材料本身的成本非常高?!?/p>

在電動汽車電控領(lǐng)域,碳化硅企業(yè)想要打開電動汽車市場的大門其實(shí)也不容易。泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司董事長兼CEO陳彤認(rèn)為,在這個過程中有四個難題要解決:一是碳化硅器件,特別是MOSFET開關(guān)性能的穩(wěn)定性和可靠性,這是最基礎(chǔ)的問題;二是與大電流碳化硅器件有關(guān)的技術(shù)問題;三是模塊化的封裝方案;四是電控的實(shí)際應(yīng)用方案。

“當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體在國產(chǎn)新能源汽車領(lǐng)域的進(jìn)展,主要都停留在第一個關(guān)口問題的解決階段?!标愅蛴浾弑硎荆壳皹I(yè)界首先要解決第一層次的問題,想做出汽車等級的碳化硅仍是任重道遠(yuǎn)。

耿博在接受采訪時(shí)同樣強(qiáng)調(diào)了寬禁帶半導(dǎo)體器件開關(guān)問題的重要性。他表示,寬禁帶半導(dǎo)體非常快的開關(guān)速度會增加開關(guān)損耗以及器件老化,還會影響柵極的可靠性。此外,受過流、過熱影響,分立器件的保護(hù)也會比較困難。

針對其他技術(shù)難題,鄒廣才指出,芯片設(shè)計(jì)、芯片篩選測試、模塊封裝、模塊熱管理、系統(tǒng)集成設(shè)計(jì)和模塊測試等技術(shù)都亟待攻關(guān)。

在產(chǎn)業(yè)層面,從芯片和功率模塊設(shè)計(jì)到整車層面的應(yīng)用驗(yàn)證這一鏈條尚未打通。鄒廣才表示:“芯片企業(yè)缺乏整車層面的真正需求分解和反饋,整車企業(yè)缺乏芯片層面的測評信息。”

事實(shí)上,在新能源汽車領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用方面,國內(nèi)外企業(yè)面臨著共性問題。鄒廣才向記者指出,如何更好地研究SiC功率芯片先進(jìn)封裝,以開發(fā)新能源汽車高功率、高密度電驅(qū)動系統(tǒng),是新能源汽車和寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需求?!澳壳皣鴥?nèi)外的寬禁帶半導(dǎo)體封裝仍沿用傳統(tǒng)Si基第一代功率半導(dǎo)體芯片的封裝形式,不能充分發(fā)揮寬禁帶半導(dǎo)體(如SiC芯片)耐高溫、耐高頻的優(yōu)勢?!编u廣才對記者說。

上下游配合補(bǔ)短板

寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)是新能源汽車功率芯片領(lǐng)域的關(guān)鍵核心技術(shù),也是全球關(guān)注的細(xì)分研究領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用方向之一。由于歐美日等國在寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)起步早、發(fā)展快,在新能源汽車領(lǐng)域已形成壟斷優(yōu)勢,國內(nèi)產(chǎn)業(yè)也面臨著追趕難度大的問題。

在談到國內(nèi)外寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車應(yīng)用方面存在的差距時(shí),鄒廣才把國內(nèi)產(chǎn)業(yè)面臨的短板總結(jié)為了四點(diǎn):“第一,產(chǎn)業(yè)起步晚,追趕難度大;第二,設(shè)計(jì)、開發(fā)、仿真、測試技術(shù)尚不成熟,封裝等材料不成熟;第三,從芯片設(shè)計(jì)到應(yīng)用的鏈條沒有打通;第四,開放的公共研發(fā)服務(wù)平臺和規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)支撐不足?!?/p>

那么,業(yè)內(nèi)應(yīng)如何補(bǔ)齊這些短板?宋長庚在采訪中特別強(qiáng)調(diào)了要加強(qiáng)基礎(chǔ)材料的研究,比如提高碳化硅材料的制造效率,降低成本?!坝锰蓟杵骷娲杌骷r(shí),系統(tǒng)需要部分進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。這就需要半導(dǎo)體器件企業(yè)與下游終端企業(yè)密切配合,以降低重新設(shè)計(jì)的難度和成本?!彼伍L庚說。

業(yè)內(nèi)專家均表示,產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)也是補(bǔ)齊短板的關(guān)鍵。耿博談道,為了加速寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用,要加速突破襯底材料、外延、芯片和封裝測試瓶頸;要不斷開發(fā)新工藝和新技術(shù),加速實(shí)現(xiàn)6英寸SiC襯底和外延材料的產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移,降低材料的缺陷密度,提升產(chǎn)品良率并降低成本。鄒廣才則認(rèn)為,應(yīng)加大科技創(chuàng)新投入,加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)學(xué)用等平臺的融合,搭建產(chǎn)業(yè)生態(tài),推動全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。

在補(bǔ)短板過程中,業(yè)界還需要關(guān)注幾個重要的技術(shù)產(chǎn)品競爭維度。在鄒廣才看來,這些關(guān)鍵的技術(shù)產(chǎn)品競爭維度主要包括自主功率芯片、自主功率模塊封裝、基于寬禁帶半導(dǎo)體的電驅(qū)動系統(tǒng)以及相應(yīng)的測試驗(yàn)證平臺。

寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)軍新能源汽車雖迫在眉睫,但也不能操之過急。陳彤呼吁,國內(nèi)在發(fā)展新能源汽車碳化硅領(lǐng)域時(shí),一定要處理好“三慢”和“三急”的矛盾:首先是產(chǎn)業(yè)慢、資本急的根本矛盾;其次是產(chǎn)品慢、下游急的主要矛盾;最后是產(chǎn)值慢、規(guī)劃急的實(shí)際矛盾。

陳彤認(rèn)為,業(yè)界需要將這些矛盾認(rèn)識清楚,并且有針對性地做好準(zhǔn)備,否則投資越大,損失也越大?!叭绾握J(rèn)識高功率半導(dǎo)體的發(fā)展邏輯,如何做好投身碳化硅領(lǐng)域的準(zhǔn)備,如何布局一個具體的碳化硅項(xiàng)目,這些問題是當(dāng)前國內(nèi)需要梳理清楚的重要問題?!标愅畬τ浾哒f。

其實(shí),“三慢、三急”矛盾并非不可調(diào)和。相信未來,在產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的密切配合與協(xié)同發(fā)展下,寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)軍新能源汽車領(lǐng)域面臨的種種問題可以得到解決。

[責(zé)任編輯:張倩]

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