5月29日，為進(jìn)一步加強(qiáng)光伏制造行業(yè)管理，規(guī)范產(chǎn)業(yè)發(fā)展秩序，提高行業(yè)發(fā)展水平，加快推進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，工信部電子信息司組織修訂完成了《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2020年本）》（征求意見(jiàn)稿），現(xiàn)公開(kāi)征求意見(jiàn)。

征求意見(jiàn)稿明確，嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目，引導(dǎo)光伏企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴(kuò)建多晶硅制造項(xiàng)目，最低資本金比例為30%，其他新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目，最低資本金比例為20%，其中，電池制造項(xiàng)目投資強(qiáng)度不低于900萬(wàn)元/畝，組件制造項(xiàng)目投資強(qiáng)度不低于500萬(wàn)元/畝。

征求意見(jiàn)稿強(qiáng)調(diào)，光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。光伏制造企業(yè)每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%，且不少于1000萬(wàn)元人民幣，鼓勵(lì)企業(yè)取得省級(jí)以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)；申報(bào)符合規(guī)范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于上一年實(shí)際產(chǎn)能的50%。

為加強(qiáng)光伏制造行業(yè)管理，引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級(jí)和結(jié)構(gòu)調(diào)整，推動(dòng)我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國(guó)家有關(guān)法律法規(guī)及《國(guó)務(wù)院關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見(jiàn)》（國(guó)發(fā)〔2013〕24號(hào)），按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵(lì)創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則，制定本規(guī)范條件。

一、生產(chǎn)布局與項(xiàng)目設(shè)立

（一）光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目應(yīng)符合國(guó)家資源開(kāi)發(fā)利用、環(huán)境保護(hù)、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當(dāng)?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等要求。

（二）在國(guó)家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級(jí)以上人民政府批準(zhǔn)的自然保護(hù)區(qū)、飲用水水源保護(hù)區(qū)、生態(tài)功能保護(hù)區(qū)，已劃定的永久基本農(nóng)田，以及法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設(shè)工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設(shè)光伏制造項(xiàng)目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應(yīng)按照法律法規(guī)要求拆除關(guān)閉，或嚴(yán)格控制規(guī)模、逐步遷出。

（三）嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目，引導(dǎo)光伏企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴(kuò)建多晶硅制造項(xiàng)目，最低資本金比例為30%，其他新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目，最低資本金比例為20%，其中，電池制造項(xiàng)目投資強(qiáng)度不低于900萬(wàn)元/畝，組件制造項(xiàng)目投資強(qiáng)度不低于500萬(wàn)元/畝。

二、工藝技術(shù)

（一）光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。

（二）光伏制造企業(yè)應(yīng)具備以下條件：在中華人民共和國(guó)境內(nèi)依法注冊(cè)成立，具有獨(dú)立法人資格；具有太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力；每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬(wàn)元人民幣，鼓勵(lì)企業(yè)取得省級(jí)以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)；申報(bào)符合規(guī)范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于上一年實(shí)際產(chǎn)能的50%。

（三）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》（GB/T 25074）或《流化床法顆粒硅》（GB/T 35307）特級(jí)品的要求。

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命不低于2μs，碳、氧含量分別小于10ppma和10ppma；P型單晶硅片少子壽命不低于50μs，N型單晶硅片少子壽命不低于500μs，碳、氧含量分別小于1ppma和14ppma。

3.多晶硅電池和單晶硅電池（雙面電池按正面效率計(jì)算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于19%和22.5%。

4.多晶硅組件和單晶硅組件（雙面組件按正面效率計(jì)算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17%和19.6%。

5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜組件的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、15%、14%、14%。

6.含變壓器型的光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于96.5%，不含變壓器型的光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于98%（單相二級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的光伏逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于94.5%和97.3%），微型逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于95%和95.5%，鼓勵(lì)逆變器企業(yè)加強(qiáng)與產(chǎn)業(yè)鏈上游企業(yè)合作。

（四）新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《電子級(jí)多晶硅》（GB/T 12963）3級(jí)品以上要求或《流化床法顆粒硅》（GB/T 35307）特級(jí)品的要求。

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命不低于2.5μs，碳、氧含量分別小于6ppma和8ppma；P型單晶硅片少子壽命不低于80μs，N型單晶硅片少子壽命不低于700μs，碳、氧含量分別小于1ppma和14ppma。

3.多晶硅電池和單晶硅電池（雙面電池按正面效率計(jì)算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于20%和23%。

4.多晶硅組件和單晶硅組件（雙面組件按正面效率計(jì)算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17.8%和20%。

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜組件的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于13%、16%、15%、15%。

（五）晶硅組件衰減率首年不高于2.5%，后續(xù)每年不高于0.6%，25年內(nèi)不高于17%；薄膜組件衰減率首年不高于5%，后續(xù)每年不高于0.4%，25年內(nèi)不高于15%。

三、資源綜合利用及能耗

（一）光伏制造企業(yè)和項(xiàng)目用地應(yīng)符合國(guó)家已出臺(tái)的土地使用標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)格保護(hù)耕地，節(jié)約集約用地。

（二）光伏制造項(xiàng)目電耗應(yīng)滿足以下要求：

1.現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于60千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于80千瓦時(shí)/千克；新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于50千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于70千瓦時(shí)/千克。

2.現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合電耗小于7.5千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于6.5千瓦時(shí)/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合電耗的增加幅度不得超過(guò)0.5千瓦時(shí)/千克。

3.現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合電耗小于30千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于28千瓦時(shí)/千克。

4.現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于25萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于20萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于20萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于15萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片。

5.晶硅電池項(xiàng)目平均綜合電耗小于8萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp。

6.晶硅組件項(xiàng)目平均綜合電耗小于4萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp，薄膜組件項(xiàng)目平均電耗小于50萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp。

（三）光伏制造項(xiàng)目生產(chǎn)水耗應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅項(xiàng)目水循環(huán)利用率不低于95%；

2.硅片項(xiàng)目水耗低于1300噸/百萬(wàn)片；

3.P型晶硅電池項(xiàng)目水耗低于750噸/MWp，N型晶硅電池項(xiàng)目水耗低于900噸/MWp。

（四）其他生產(chǎn)單耗需滿足國(guó)家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。